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VSKTF180 AT2127 74HC2 MAX4005 74HC24 74458168 D0Z18BE SR5200
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  2014-01-14 1 20 1 4-0 1-1 4 silicon npn phototransistor npn-silizium-fototransistor version 1.1 bpx 38 features: besondere merkmale: ? spectral range of sensitivity: (typ) 450 ... 1120 nm ? spektraler bereich der fotoempfindlichkeit: (typ) 450 ... 1120 nm ? package: metal can (to-18), hermetically sealed ? geh?use: metall geh?use (to-18), hermetisch dicht ? special: base connection ? besonderheit: basisanschluss ? suitable up to 125 c ? geeignet bis 125 c ? high linearity ? hohe linearit?t ? available in groups ? gruppiert lieferbar applications anwendungen ? photointerrupters ? lichtschranken ? industrial electronics ? industrieelektronik ? for control and drive circuits ? messen / steuern / regeln
2014-01-14 2 version 1.1 bpx 38 ordering information bestellinformation maximum ratings (t a = 25 c) grenzwerte type: photocurrent ordering code typ: fotostrom bestellnummer = 950 nm, e e = 0.5 mw/cm 2 , v ce = 5 v i pce [a] bpx 38 200 q62702p0015 bpx 38-2/3 200 ... 630 q62702p3578 bpx 38-3 320 ... 630 q62702p0015s003 bpx 38-4 500 ... 1000 q62702p0015s004 note: only one bin within one packing unit (variation less than 2:1) anm.: nur eine gruppe pro verpackungseinheit (streuung kleiner 2:1) parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit operating and storage temperature range betriebs- und lagertemperatur t op ; t stg -40 ... 125 c collector-emitter voltage kollektor-emitter-spannung v ce 50 v collector current kollektorstrom i c 50 ma collector surge current kollektorspitzenstrom ( < 10 s) i cs 200 ma emitter-base voltage emitter-basis-spannung v eb 7v total power dissipation verlustleistung p tot 220 mw thermal resistance w?rmewiderstand r thja 450 k / w
version 1.1 bpx 38 2014-01-14 3 characteristics (t a = 25 c) kennwerte parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit wavelength of max. sensitivity wellenl?nge der max. fotoempfindlichkeit s max 880 nm spectral range of sensitivity spektraler bereich der fotoempfindlichkeit 10% 450 ... 1120 nm radiant sensitive area bestrahlungsempfindliche fl?che a 0.675 mm 2 dimensions of chip area abmessung der chipfl?che l x w 1.02 x 1.02 mm x mm half angle halbwinkel ? 40 photocurrent of collector-base photodiode fotostrom der kollektor-basis-fotodiode ( = 950 nm, e e = 0.5 mw/cm 2 , v cb = 5 v) i pcb 1.8 a photocurrent of collector-base photodiode fotostrom der kollektor-basis-fotodiode (e v = 1000 lx, std. light a, v cb = 5 v) i pcb 5.5 a capacitance kapazit?t (v ce = 0 v, f = 1 mhz, e = 0) c ce 23 pf capacitance kapazit?t (v cb = 0 v, f = 1 mhz, e = 0) c cb 39 pf capacitance kapazit?t (v eb = 0 v, f = 1 mhz, e = 0) c eb 47 pf dark current dunkelstrom (v ce = 25 v, e = 0) i ce0 20 ( 100) na
2014-01-14 4 version 1.1 bpx 38 grouping (t a = 25 c, = 950 nm) gruppierung group min photocurrent max photocurrent typ photocurrent rise and fall time gruppe min fotostrom max fotostrom typ fotostrom anstiegs- und abfallzeit e e = 0.5 mw/cm 2 , v ce = 5 v e e = 0.5 mw/cm 2 , v ce = 5 v e v = 1000 lx, std. light a, v ce = 5 v i c = 1 ma, v cc = 5 v, r l = 1 k ? i pce, min [a] i pce, max [a] i pce [a] t r , t f [s] bpx 38-2 200 400 950 9 bpx 38-3 320 630 1500 12 bpx 38-4 500 1000 2300 15 bpx 38-5 800 3600 18 group collector-emitter saturation voltage current gain gruppe kollektor-emitter s?ttigungsspannung stromverst?rkung i c = i pcemin x 0.3, e e = 0.5 mw/cm 2 e e = 0.5 mw/cm 2 , v ce = 5 v v cesat [mv] i pce / i pcb bpx 38-2 200 170 bpx 38-3 200 280 bpx 38-4 200 420 bpx 38-5 200 650 note.: i pcemin is the min. photocurrent of the specified group. anm.: i pcemin ist der minimale fotostrom der jeweiligen gruppe.
version 1.1 bpx 38 2014-01-14 5 relative spectral sensitivity relative spektrale empfindlichkeit s rel = f( ) photocurrent fotostrom i pce = f(e e ), v ce = 5 v collector current kollektorstrom i c = f(v ce ), i b = parameter collector current kollektorstrom i c = f(v ce ), i b = parameter
2014-01-14 6 version 1.1 bpx 38 photocurrent fotostrom i pce / i pce (25c) = f(t a ), v ce = 5 v dark current dunkelstrom i ceo = f(v ce ), e = 0 dark current dunkelstrom i ceo /i ceo (25) = f(t a ), v ce = 25 v, e = 0 collector-base capacitance kollektor-basis kapazit?t c cb = f(v cb ), f = 1 mhz, e = 0
version 1.1 bpx 38 2014-01-14 7 collector-emitter capacitance kollektor-emitter kapazit?t c ce = f(v ce ), f = 1 mhz, e = 0 emitter-base capacitance emitter-basis kapazit?t c eb = f(v eb ), f = 1 mhz, e = 0 total power dissipation verlustleistung p tot = f(t a )
2014-01-14 8 version 1.1 bpx 38 directional characteristics winkeldiagramm s rel = f( ? ) package outline ma?zeichnung dimensions in mm (inch). / ma?e in mm (inch). ?5.6 (0.220) ?5.3 (0.209) 2.54 (0.100) spacing ?4.8 (0.189) e c b (2.7 (0.106)) 5.3 (0.209) 5.0 (0.197) 14.5 (0.571) 12.5 (0.492) ?0.45 (0.018) radiant gmoy6018 approx. weight 1.0 g ?4.6 (0.181) 5.0 (0.197) 5.5 (0.217) chip position sensitive area 0 .9 (0 .0 3 5 ) 1 .1 (0 .0 4 3 ) 1 .1 (0 .0 4 3 ) 0 .9 (0 .0 3 5 )
version 1.1 bpx 38 2014-01-14 9 ttw soldering wellenl?ten (ttw) iec-61760-1 ttw / iec-61760-1 ttw 0 0 s oha04645 50 100 150 200 250 300 t t ?c 235 ?c - 260 ?c first wave 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 second wave 10 s max., max. contact time 5 s per wave preheating t 100 ?c 120 ?c 130 ?c typical cooling ca. 3.5 k/s typical ca. 2 k/s ca. 5 k/s continuous line: typical process dotted line: process limits < 150 k
2014-01-14 10 version 1.1 bpx 38 disclaimer disclaimer attention please! the information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. terms of delivery and rights to change design reserved. due to technical requirements components may contain dangerous substances. for information on the types in question please contact our sales organization. if printed or downloaded, please find the latest version in the internet. packing please use the recycling operators known to you. we can also help you ? get in touch with your nearest sales office. by agreement we will take packing material back, if it is sorted. you must bear the costs of transport. for packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of osram os. *) a critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. if they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. bitte beachten! lieferbedingungen und ?nderungen im design vorbehalten. aufgrund technischer anforderungen k?nnen die bauteile gefahrstoffe enthalten. fr weitere informationen zu gewnschten bauteilen, wenden sie sich bitte an unseren vertrieb. falls sie dieses datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden sie die aktuellste version im internet. verpackung benutzen sie bitte die ihnen bekannten recyclingwege. wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden sie sich bitte an das n?chstgelegene vertriebsbro. wir nehmen das verpackungsmaterial zurck, falls dies vereinbart wurde und das material sortiert ist. sie tragen die transportkosten. fr verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurckgeschickt wird oder das wir nicht annehmen mssen, stellen wir ihnen die anfallenden kosten in rechnung. bauteile, die in lebenserhaltenden apparaten und systemen eingesetzt werden, mssen fr diese zwecke ausdrcklich zugelassen sein! kritische bauteile* drfen in lebenserhaltenden apparaten und systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches einverst?ndnis von osram os vorliegt. *) ein kritisches bauteil ist ein bauteil, das in lebenserhaltenden apparaten oder systemen eingesetzt wird und dessen defekt voraussichtlich zu einer fehlfunktion dieses lebenserhaltenden apparates oder systems fhren wird oder die sicherheit oder effektivit?t dieses apparates oder systems beeintr?chtigt. **) lebenserhaltende apparate oder systeme sind fr (a) die implantierung in den menschlichen k?rper oder (b) fr die lebenserhaltung bestimmt. falls sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die gesundheit und das leben des patienten in gefahr ist.
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